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D06-先进微电子与光电子材料
D06-Advanced Microelectronic and Optoelectronic Materials 征文主题：Si、Ge、SOI、GOI、SiC和化合物半导体等衬底材料；用于集成电路和光电器件制造的高-k/金属栅叠层、Low-k材料、GeSi外延层、GeSn外延层、PCRAM存储材料、RRAM介质材料、STT-MRAM用磁性薄膜等新型薄膜材料；光刻胶、DSA、各类CVD和ALD前驱体、CMP抛光材料、工艺化学品、靶材等集成电路制造工艺材料；新型显示材料；先进封装材料；新型二维材料；新型存储材料与技术显示材料；碳纳米管，石墨烯等碳基功能材料；材料检测技术与方法；材料设计理论与计算模拟。 Main Topics: (Interest include, but not limited to) Substrate materials such as Si, Ge, SOI, GOI, SiC and compound semiconductors; High-k, Low-k, GeSi, GeSn, PCRAM, RRAM, STT-MRAM, and other materials used in integrated circuits and optoelectronic devices; New display materials; Carbon nanotubes, graphene and other carbon based functional materials; Photoresists, DSA, CVD and ALD precursors, CMP materials, process chemicals and targets for integrated circuit fabrication and manufacturing; Advanced packaging materials; Materials characterization technology and methods; Materials design theory and simulation; Novel two dimensional materials; Post-CMOS device options; Novel memory materials and technologies. 分会主席：王曦、汪正平、林庆煌、赵超 承办单位：集成电路材料和零部件产业技术创新战略联盟 支持单位：中国科学院上海微系统与信息技术研究所 论文出版：可推荐至 Springer的Proceedings系列《Lecture Notes in Electrical Engineering》(EI收录）发表。作者也可根据自身情况选择期刊，并提前告知大会联系人。 联系方式：宋三年 中国科学院上海微系统与信息技术研究所 13818144065， songsannian@mail.sim.ac.cn 
D06. 先进微电子与光电子材料 摘要集 日程· D06.先进微电子与光电子材料 分会主席：王曦、汪正平、杨德仁、赵超、林庆煌 单元 D06-1：7 月 13 日下午 主持人：赵超 地点：会议中心会议室 2F 13:30-13:35 开幕词 13:35-14:15 D06-01 (Keynote) 高速低功耗相变存储材料与应用 宋志棠 中国科学院上海微系统与信息技术研究所 14:15-14:45 D06-02 (Invited) 新型超高隧穿磁阻 STT-MRAM 曹凯华，王梦醒，彭守仲，张博宇，周家琦，赵巍胜 北京航空航天大学 14:45-15:15 D06-03 (Invited) 三维闪存存储器电荷存储层的可靠性研究 陈杰智 山东大学 15:15-15:35 D06-04 基于离子注入的空位调制相变存储材料 王勇 1,2，宋三年 1 ，宋志棠 1 1.上海微系统与信息技术研究所 2.中国科学院大学 15:35-16:00 茶歇 16:00-16:30 D06-05 (Invited) 超薄薄膜表界面的电荷行为 张小娴 国家纳米科学中心 16:30-16:50 D06-06 锰氧化物薄膜表面轨道调控导致的磁性增强效应 彭晶晶 中国航发北京航空材料研究院 16:50-17:10 D06-07 Magnetic Anisotropy in [Pt/Co]4/MgO/[Co/Pt]2 Multilayers 李倩，李磊，周伟，陈军，张思远，蔡建华 西北有色金属研究院 17:10-17:30 D06-08 B 离子注入 4H-SiC 晶体损伤特性的研究 赵金花，秦希峰，李爽 山东建筑大学 单元 D06-2：7 月 14 日上午 主持人：赵超 地点：会议中心会议室 2F 08:30-09:10 D06-09 (Keynote) 柔性导热基板材料及其在柔性电子器件散热应用研究 许建斌 中国科学院深圳先进技术研究院 香港中文大学 09:10-09:40 D06-10 (Invited) 聚合物基电子封装材料研究与应用 孙蓉 中国科学院深圳先进技术研究院 09:40-10:00 D06-11 无铟氧化物半导体薄膜与全透明电子学 吕建国，岳士录，吕容恺，章佳琪，陆波静，叶志镇 浙江大学 10:00-10:20 D06-12 印刷液滴操控制备多分析柔性电子器件 李风煜 1.暨南大学 2.中国科学院化学研究所 10:20-10:50 茶歇 10:50-11:10 D06-13 高质量纳米银线的一步合成及其在柔性透明电极中的应用 研究 李郁秀，杨宏伟，巢云秀，原禧敏，王川 昆明贵金属研究所 11:10-11:30 D06-14 基于水基ALD技术石墨烯/高κ介质异质结直接形成方法和 机理研究 郑理，程新红，周文，徐大伟，沈玲燕，王谦，张栋梁，顾 子悦，吴灯鹏，俞跃辉 中国科学院上海微系统与信息技术研究所 11:30-11:50 D06-15 金属氧化物半导体纳米纤维场效应晶体管的制备及电学性 能调控 王凤云 1,2，张洪超 1,2，宋龙飞 1,2，朱鑫旭 1,2 1.青岛大学 2.青岛大学国家重点实验室培育基地 单元 D06-3：7 月 14 日下午 主持人：孙蓉 地点：会议中心会议室 2F 13:30-14:00 D06-16 (Invited) Epitaxial growth of GaN-based heterostructures on Si substrates X.L.Yang, J.Zhang, Y.X.Feng, P.F.Ji, J.P.Chen, and B.Shen* Peking University 14:00-14:30 D06-17 (Invited) 锗预非晶化工艺在先进钛硅化物接触技术中的应用 罗军 1,2，毛淑娟 1,2，张丹 1,2，许静 1 ，罗雪 1,2，赵超 1,2，王 文武 1,2，王桂磊 1 1.中国科学院微电子研究所 2.中国科学院大学 14:30-15:00 D06-18 (Invited) Ge 和 GOI 材料的外延与键合及其应用 王桂磊，罗军，焦斌斌，顾世海，孔真真，云世昌，杨涛， 李俊峰，王文武，赵超，Henry H Radamson 中国科学院微电子研究所 15:00-15:20 D06-19 FIB-TEM 分析技术在晶圆芯片质量改良中的应用 黄亚敏，王秀芳，董业民 中国科学院上海微系统信息与技术研究所 15:20-15:40 D06-20 氮化硅陶瓷覆铜板活性钎焊制备工艺研究 陈波 中国航发北京航空材料研究院 15:40-17:30 墙报 单元 D06-4：7 月 15 日上午 主持人：郝晓涛 地点：会议中心会议室 2F 08:30-09:00 D06-21 (Invited) 柔性锗硅薄膜材料及三维器件 梅永丰 复旦大学 09:00-09:30 D06-22 (Invited) 硅纳米晶体：一种重要的硅基光电子材料 皮孝东 浙江大学材料科学与工程学院和硅材料国家重点实验室 09:30-09:50 D06-23 在斜切Si(001)衬底上GeSi纳米结构的异质外延生长及其特 性研究 钟振扬 1.复旦大学物理系 2.应用表面物理国家重点实验室 3.先进微结构协同创新中心 09:50-10:10 D06-24 二维层状薄膜电学及光电器件 胡平安，冯伟 哈尔滨工业大学 10:10-10:30 D06-25 气固固控制生长高性能<111>-GaSb 纳米线 杨再兴 1 ，何颂贤 2 1.山东大学 2.香港城市大学 10:30-10:50 茶歇 10:50-11:10 D06-26 Hetero-integration of wide bandgap semiconductors and Si substrates by ion-cutting technique 游天桂，伊艾伦，黄凯，张师斌，鄢有泉，林家杰，欧欣 中国科学院上海微系统与信息技术研究所 11:10-11:30 D06-27 新型碳基二维半导体材料 C3N 的制备与微电子器件应用 杨思维，何朋，丁古巧 中国科学院上海微系统与信息技术研究所 11:30-11:50 D06-28 半导体光子增益材料的仿真计算 于雅鑫 长安大学 单元 D06-5：7 月 15 日下午 主持人：史方 地点：会议中心会议室 2F 13:30-14:10 D06-29 (Keynote) 使用量子點噴塗來提升 GaN 微顯示全彩化之可靠度研究 李俊甫，林志豪，佘慶威，郭浩中 國立交通大學 14:10-14:40 D06-30 (Invited) LED 芯片微缩化趋势与技术 陈凯轩 厦门乾照光电股份有限公司 14:40-15:10 D06-31 (Invited) 添加绝缘树脂改善有机光伏器件性能 郝晓涛 山东大学 15:10-15:25 D06-32 金属表面等离子体多级共振在光电探测器中的应用研究 陈洪宇 哈尔滨工业大学 15:25-15:50 茶歇 15:50-16:05 D06-33 单根 n-SnO2/p-CuZnS 微米线异质结型自驱动紫外光电探 测器的性能研究 蔡健，苏龙兴，胡名翔，方晓生 复旦大学 16:05-16:20 D06-34 低维 PN 结构的设计组装及在光伏器件中的应用 张骐 杭州电子科技大学 16:20-16:35 D06-35 肖特基结型 BeZnO 基紫外光电探测器的研究 苏龙兴，蔡健，方晓生 复旦大学 16:35-16:50 D06-36 钙钛矿微纳晶体激光及激光阵列 廖清，何先雄，张海华，付红兵 首都师范大学 16:50-17:05 D06-37 高度规则和均匀的 K3ScF6:Mn4+红色荧光粉的简易可控合 成、显微结构、光致发光特性及其在 LED 器件中的应用 明红 1,3，刘水富 1,3，刘丽丽 1,3，彭家庆 1,3，傅俊祥 1,3，杜 甫 1,3，叶信宇 1,2,3 1.江西理工大学 2.离子型稀土国家工程研究中心 3.江西省稀土荧光材料与器件重点实验室 17:05-17:20 D06-38 基于多孔氮化硼的复合发光材料的研究 何鑫，林靖，黄阳，唐成春 河北工业大学 17:20-17:30 优秀 Poster 颁奖 墙展 D06-P01 射频磁控溅射法制备Mn掺杂CeO2薄膜的结构与铁磁性能 研究 阳生红，蒋志洁，张曰理 中山大学 D06-P02 氮、硫掺杂碳量子点的制备及其光学性能 付丽歌，殷月红 河南理工大学 D06-P03 石墨烯-TiO2 复合结构的反常非线性光学特征 肖思，蒋永强 中南大学 D06-P04 硫化钼改性氧化锌量子点湿敏传感器的超快响应性能研究 龚跃球，李旭军 湘潭大学 D06-P05 磁性掺杂对 LaAlO3/SrTiO3 的输运特性研究 闫虹，金克新 西北工业大学 D06-P06 具有高热稳定性和快速结晶速度的 Ta0.12Sb2Te 合金在相变 存储器中的应用 薛媛 1,2，宋三年 1 ，闫帅 1,2，郭天琪 1,2，宋志棠 1 1.中国科学院上海微系统与信息技术研究所 2.中国科学院大学 D06-P07 刀片电极结构相变存储器的低功耗研究 卢瑶瑶 1,2，蔡道林 1 ，宋三年 1 ，陈一峰 1 ，闫帅 1,2，吴磊 1,2， 刘源广 1,2，李阳 1,2，宋志棠 1 1.中国科学院上海微系统与信息技术研究所 2.中国科学院大学 D06-P08 基于 OTS 选通器器件测试系统的研究 闫帅 1,2，蔡道林 1 ，薛媛 1,2，宋志棠 1 ，陈一峰 1 ，卢瑶瑶 1,2 1.中国科学院上海微系统与信息技术研究所 2.中国科学院大学 D06-P09 抗氧化高速 AlSc-SbTe 相变材料与器件研究 章思帆 1 ，吴良才 1,2，陈莹 1 ，刘万良 1 ，石建军 2 ，宋三年 1 ， 宋志棠 1 1.中国科学院上海微系统与信息技术研究所 2.东华大学 D06-P10 用于三维相变存储器的 GeSe 薄膜与器件研究 刘广宇 1 ，吴良才 1,2，李涛 1 ，朱敏 1 ，张菁 2 ，宋志棠 1 1.中国科学院上海微系统与信息技术研究所 2.东华大学 D06-P11 铁电场效应晶体管相场有限元模型 蒋丽梅，明浩 1.薄膜材料及器件湖南省重点实验室 2.湘潭大学 D06-P12 与 CMOS 工艺兼容的氧化铪基铁电栅高温快速切换研究 彭强祥 1,2 ，兰杨波 1,2 1.薄膜材料及器件湖南省重点实验室 2.湘潭大学材料科学与工程学院 D06-P13 基于Ⅱ-Ⅵ族氧化物合金的能带工程及紫外光电器件研究 苏龙兴 1 ，祝渊 2 ，方晓生 1 ，刘建林 3 ，汤子康 4 1.复旦大学 2.南方科技大学 3.加州大学河滨分校 4.澳门大学 D06-P14 PCRAM 材料的电镜研究方法 辛天骄，陈鑫，王秀芳，宋志棠，朱敏 中国科学院上海微系统与信息技术研究所 D06-P15 三维原子探针研究第六种键-金属价键 朱敏，程扬名，沈佳斌，宋志棠 中国科学院上海微系统与信息技术研究所 |
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